我們的 Purion M 離子植入機提供最廣泛的中电流劑量，提供無比的靈活性，以滿足當今不斷發展的植入要求。Purion M 具有遠超競爭對手植入機的高能量能力，是晶圓廠提升能力或處理高質量元素摻雜物的理想選擇。然而，它的能效比競爭對手平台高出 20%，從而達致業界最低的生產成本。

纯度

混合離子束通道設計採用磁場和靜電雙重過濾，可在所有能量水平上實現一流的低金屬汙染表現, 非常適合影像感測器製程应用。

精密

先進的角度控制具有原位的 X 和 Y 角度測量和控制功能，可實現極高的精密度。獨特的恆定焦距掃描可在整個晶圓表面提供精確一致的離子劑量、角度、能量和密度。

生产力

我們獨特的 EternaTM?ELS 離子源提供業界最廣泛的能量範圍 (2KeV – 1 MeV)，以達致無可匹敵的植入效率。我們的高速 Purion 傳送機構可實現高達 500 WPH 的生產能力。Purion M 為 SiC 摻雜製程应用提供領先業界的生产力，具有最高的 Al+ 離子束電流和在生產晶圓廠中運行的獨特熱植入（高達 650°C）能力。